Dans un monde en pleine transition énergétique, la recherche de solutions innovantes et durables est devenue essentielle. C’est dans ce contexte que l’entreprise onsemi, spécialisée dans les semi-conducteurs, accélère ses efforts pour développer le carbure de silicium. Ce matériau prometteur ouvre la voie vers des avancées significatives dans l’électrification et les énergies renouvelables.
Répondre aux Défis Énergétiques Mondiaux
En réponse à l’escalade des crises climatiques et à la demande croissante en énergie, les gouvernements et les industries s’engagent dans des objectifs climatiques ambitieux pour atténuer l’impact environnemental et sécuriser un avenir durable. La transition vers l’électrification, permettant de réduire les émissions de carbone et d’adopter des ressources en énergie renouvelable, en est un élément clé.
La Technologie EliteSiC M3e MOSFET
Dans une avancée significative pour accélérer cette transition mondiale, onsemi a introduit sa dernière génération de technologie en carbure de silicium, les EliteSiC M3e MOSFETs. Cette plateforme joue un rôle fondamental dans l’optimisation des systèmes électriques de nouvelle génération, permettant des performances améliorées et une fiabilité accrue à un coût réduit par kW.
Applications Diversifiées et Efficacité Améliorée
Les EliteSiC M3e MOSFETs peuvent fonctionner à des fréquences de commutation et à des tensions plus élevées tout en minimisant les pertes de conversion d’énergie. Cette technologie est essentielle pour une variété d’applications automobiles et industrielles, telles que les chaînes de traction de véhicules électriques, les chargeurs rapides DC, les onduleurs solaires et les solutions de stockage d’énergie. Elle permettra également une transition vers des centres de données plus efficaces et puissants.
Amélioration des Performances et Réduction des Coûts
Grâce aux capacités uniques de conception et de fabrication d’onsemi, la technologie EliteSiC M3e réalise une réduction significative des pertes de conduction et de commutation. Comparée aux générations précédentes, elle peut réduire les pertes de conduction de 30 % et les pertes de coupure jusqu’à 50 %. Par conséquent, cette technologie assure la robustesse et la stabilité de la plateforme, en faisant un choix privilégié pour les applications critiques d’électrification.
Évolution de la Densité de Puissance
Les demandes énergétiques mondiales devraient augmenter de manière exponentielle au cours de la prochaine décennie, rendant nécessaire une augmentation de la densité de puissance dans les semi-conducteurs. onsemi mène l’innovation avec sa feuille de route pour le carbure de silicium, optimisant les structures cellulaires pour pousser plus de courant à travers une surface plus petite, augmentant ainsi la densité de puissance.
Progrès Continu et Intégration Avancée
Avec chaque nouvelle génération de carbure de silicium, onsemi maximise les performances et réduit la taille des emballages. En appliquant les concepts de la loi de Moore au développement du carbure de silicium, onsemi peut développer plusieurs générations en parallèle et accélérer sa feuille de route pour amener plusieurs nouveaux produits EliteSiC sur le marché d’ici 2030.
Le MOSFET EliteSiC M3e dans le boîtier standard TO-247-4L est désormais disponible pour échantillonnage.
Comparatif Technologie EliteSiC M3e
| Caractéristique | Amélioration |
|---|---|
| Réduction des pertes de conduction | 30% |
| Réduction des pertes de coupure | 50% |
| Augmentation de la densité de puissance | 20% |
| Spécificité de la résistance | La plus basse de l’industrie |
